触媒反応生成高エネルギーH₂Oを用いて堆積したZnO膜へのN₂O添加効果 (有機エレクトロニクス)

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触媒反応生成高エネルギーH₂Oを用いて堆積したZnO膜へのN₂O添加効果

(有機エレクトロニクス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
024679157
資料種別
記事
著者
山口 直也ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2013-06-21
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(98):2013.6.21
掲載ページ
p.83-87
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
山口 直也
大橋 優樹
永冨 瑛智 他
シリーズタイトル
並列タイトル等
Effect of N₂O doping on the properties of ZnO thin films grown using high-energy H₂O generated by a catalytic reaction
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
113(98):2013.6.21
掲載巻
113
掲載号
98