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資料種別 記事・論文

Void and Nanostructure Formations during Thermal Decomposition of 20-nm-Thick Silicon Oxide Layer on Si(100)

Yoshiharu Enta,Kano Ogawa,Takayuki Nagai

詳細情報

タイトル Void and Nanostructure Formations during Thermal Decomposition of 20-nm-Thick Silicon Oxide Layer on Si(100)
著者 Yoshiharu Enta
著者 Kano Ogawa
著者 Takayuki Nagai
出版年 2013-03
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 00214922
掲載誌情報(ISSNL形式) 00214922
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000009262265-00
掲載誌名 Japanese journal of applied physics : JJAP
掲載巻 52
掲載号 3
掲載通号 1
掲載ページ 031303-1-4
言語(ISO639-2形式) eng : English

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