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資料種別 記事・論文

二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価

内田 貴史,竹中 浩人,吉岡 勇 他

詳細情報

タイトル 二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価
著者 内田 貴史
著者 竹中 浩人
著者 吉岡 勇 他
シリーズ名 電子デバイス
出版地(国名コード) JP
別タイトル Characteristics of double quantum dot Si single-electron transistor caused by the number change of electrons in quantum dot
出版年(W3CDTF) 2013-02
件名(キーワード) 単電子
件名(キーワード) 二重量子ドット
件名(キーワード) カップリング容量
件名(キーワード) Single electron
件名(キーワード) Double quantum dot
件名(キーワード) Capacitive coupling
NDLC ZN33
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
掲載誌情報(ISSN形式) 09135685
掲載誌情報(ISSN-L形式) 09135685
掲載誌名 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
掲載巻 112
掲載号 445
掲載ページ 53-58
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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