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資料種別 記事・論文

外部電圧印加に伴うキャリア注入による極薄SOI膜のゼーベック係数変化

池田 浩也,鈴木 悠平,三輪 一聡 他

詳細情報

タイトル 外部電圧印加に伴うキャリア注入による極薄SOI膜のゼーベック係数変化
著者 池田 浩也
著者 鈴木 悠平
著者 三輪 一聡 他
シリーズ名 シリコン材料・デバイス
出版地(国名コード) JP
別タイトル Variation of Seebeck coefficient of Si-on-insulator layer induced by bias-injected carriers
出版年(W3CDTF) 2013-02
件名(キーワード) サーモパイル型赤外線センサ
件名(キーワード) ゼーベック係数
件名(キーワード) 極薄SOI層
件名(キーワード) フェルミエネルギー
件名(キーワード) フォノンドラッグ
件名(キーワード) thermopile IR photodetector
件名(キーワード) Seebeck coefficient
件名(キーワード) ultrathin SOI layer
件名(キーワード) Fermi energy
件名(キーワード) phonon drag
NDLC ZN33
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
掲載誌情報(ISSN形式) 09135685
掲載誌情報(ISSN-L形式) 09135685
掲載誌名 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
掲載巻 112
掲載号 446
掲載ページ 7-11
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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