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雑誌
電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号
112(381):2013.1.17・18
記事
SiCNゲート絶縁膜...
SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT (マイクロ波)
記事を表すアイコン
SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT
(マイクロ波)
国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
024263776
資料種別
記事
著者
小林 健悟ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2013-01
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 112(381):2013.1.17・18
掲載ページ
p.75-78
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書誌情報
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書誌情報を出力
紙
資料種別
記事
タイトル
SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT
著者・編者
小林 健悟
吉田 智洋
尾辻 泰一 他
シリーズタイトル
マイクロ波
著者標目
小林 健悟
吉田 智洋
尾辻 泰一
並列タイトル等
AlGaN/GaN MIS-Gate HEMTs with SiCN Gate Stacks
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
112(381):2013.1.17・18
掲載巻
112
掲載号
381
掲載ページ
75-78
掲載年月日(W3CDTF)
2013-01
ISSN(掲載誌)
0913-5685
ISSN-L(掲載誌)
0913-5685
出版事項(掲載誌)
東京 : 電子情報通信学会
出版地(国名コード)
JP
本文の言語コード
jpn
件名標目
GaN
AlGaN
SiCN
MISゲート
高電子移動度トランジスタ(HEMT)
水素アニール
MIS-Gate
high electron mobility transistor (HEMT)
hydrogen annealing
NDLC
ZN33
対象利用者
一般
レポート番号(雑誌記事)
MW2012-156
所蔵機関
国立国会図書館
請求記号
Z16-940
連携機関・データベース
国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID(NDLBibID)
024263776
http://id.ndl.go.jp/bib/024263776
整理区分コード
632
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