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資料種別 記事・論文

GaNパワーデバイスのスイッチング特性における深い準位の影響

田中 健一郎,石田 昌宏,上田 哲三 他

詳細情報

タイトル GaNパワーデバイスのスイッチング特性における深い準位の影響
著者 田中 健一郎
著者 石田 昌宏
著者 上田 哲三 他
シリーズ名 マイクロ波
出版年 2013-01
別タイトル Effects of Deep Trapping States at High Temperatures on Transient Performances of AlGaN/GaN HFETs
件名(キーワード) 電流コラプス
件名(キーワード) GaN
件名(キーワード) AlGaN
件名(キーワード) HFET
件名(キーワード) HEMT
件名(キーワード) 配位座標
件名(キーワード) current collapse
件名(キーワード) configuration coordinate diagram
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 09135685
掲載誌情報(ISSNL形式) 09135685
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
掲載誌名 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
掲載巻 112
掲載号 381
掲載ページ 63-68
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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