Siショットキーバリアダイオードを集積化したGaNトランジスタによるDC-DCコンバータの高効率動作 (マイクロ波)

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Siショットキーバリアダイオードを集積化したGaNトランジスタによるDC-DCコンバータの高効率動作

(マイクロ波)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
024263699
資料種別
記事
著者
宇治田 信二ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2013-01
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 112(381):2013.1.17・18
掲載ページ
p.53-56
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
宇治田 信二
森田 竜夫
梅田 英和 他
シリーズタイトル
並列タイトル等
GaN Gate Injection Transistor with Integrated Si Schottky Barrier Diode for Highly Efficient DC-DC Converters
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
112(381):2013.1.17・18
掲載巻
112
掲載号
381