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資料種別 記事・論文

ナノCMOSデバイスを用いた擬似スピンMOSFETの設計と性能

周藤 悠介,山本 修一郎,介川 裕章 他

詳細情報

タイトル ナノCMOSデバイスを用いた擬似スピンMOSFETの設計と性能
著者 周藤 悠介
著者 山本 修一郎
著者 介川 裕章 他
シリーズ名 シリコン材料・デバイス・IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
出版年 2013-01-30
別タイトル Design and performance of pseudo-spin-MOSFETs using nano-CMOS devices
件名(キーワード) 擬似スピンMOSFET
件名(キーワード) スピントランジスタ
件名(キーワード) CMOS/スピントロニクス融合技術
件名(キーワード) パワーゲーティング
件名(キーワード) 不揮発性SRAM
件名(キーワード) 不揮発性フリップフロップ
件名(キーワード) Pseudo-spin-MOSFET
件名(キーワード) Spin-transistor
件名(キーワード) CMOS/spintronics hybrid technology
件名(キーワード) Power-gating
件名(キーワード) Nonvolatile SRAM
件名(キーワード) Nonvolatile flip-flop
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 09135685
掲載誌情報(ISSNL形式) 09135685
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
掲載誌名 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
掲載巻 112
掲載号 421
掲載ページ 43-46
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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