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雑誌
電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号
112(378)-112(384):2013.1.17-2013.1.25
記事
多層SiCN鋳型を用...
多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を持つInGaAs HEMT (電子デバイス)
記事を表すアイコン
多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を持つInGaAs HEMT
(電子デバイス)
国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
024263021
資料種別
記事
著者
吉田 智洋ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2013-01
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 112(380):2013.1.17・18
掲載ページ
p.79-84
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書誌情報
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書誌情報を出力
紙
資料種別
記事
タイトル
多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を持つInGaAs HEMT
著者・編者
吉田 智洋
小林 健悟
尾辻 泰一 他
シリーズタイトル
電子デバイス
著者標目
吉田 智洋
小林 健悟
尾辻 泰一
並列タイトル等
InGaAs HEMTs with T-gate electrodes formed by multi-layer SiCN molds
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
112(380):2013.1.17・18
掲載巻
112
掲載号
380
掲載ページ
79-84
掲載年月日(W3CDTF)
2013-01
ISSN(掲載誌)
0913-5685
ISSN-L(掲載誌)
0913-5685
出版事項(掲載誌)
東京 : 電子情報通信学会
出版地(国名コード)
JP
本文の言語コード
jpn
件名標目
HEMTs
InP
InGaAs
HMDS
ゲート形成技術
遅延時間解析
gate fabrication
gate delay
NDLC
ZN33
対象利用者
一般
レポート番号(雑誌記事)
ED2012-127
所蔵機関
国立国会図書館
請求記号
Z16-940
連携機関・データベース
国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID(NDLBibID)
024263021
http://id.ndl.go.jp/bib/024263021
整理区分コード
632
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