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資料種別 記事・論文

多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を持つInGaAs HEMT

吉田 智洋,小林 健悟,尾辻 泰一 他

詳細情報

タイトル 多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を持つInGaAs HEMT
著者 吉田 智洋
著者 小林 健悟
著者 尾辻 泰一 他
シリーズ名 電子デバイス
出版年 2013-01
別タイトル InGaAs HEMTs with T-gate electrodes formed by multi-layer SiCN molds
件名(キーワード) HEMTs
件名(キーワード) InP
件名(キーワード) InGaAs
件名(キーワード) HMDS
件名(キーワード) ゲート形成技術
件名(キーワード) 遅延時間解析
件名(キーワード) gate fabrication
件名(キーワード) gate delay
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 09135685
掲載誌情報(ISSNL形式) 09135685
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
掲載誌名 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
掲載巻 112
掲載号 380
掲載ページ 79-84
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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