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雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号112巻421号 2013年1月30日
記事ランダムテレグラフノ...

ランダムテレグラフノイズ(RTN)の統計的評価手法と微細MOSFETばらつきへの影響 (シリコン材料・デバイス・IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

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ランダムテレグラフノイズ(RTN)の統計的評価手法と微細MOSFETばらつきへの影響

(シリコン材料・デバイス・IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
024262996
資料種別
記事
著者
三木 浩史ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2013-01-30
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 112(421):2013.1.30
掲載ページ
p.31-34
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紙

資料種別
記事
タイトル
ランダムテレグラフノイズ(RTN)の統計的評価手法と微細MOSFETばらつきへの影響
著者・編者
三木 浩史
手賀 直樹
山岡 雅直 他
シリーズタイトル
シリコン材料・デバイス・IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
著者標目
三木 浩史
手賀 直樹
山岡 雅直
並列タイトル等
Statistical Analysis of Random Telegraph Noise (RTN) and its Impact on Variation in Threshold Voltage of Highly Scaled MOSFET
タイトル（掲載誌）
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）
112(421):2013.1.30
掲載巻
112
掲載号
421