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資料種別 記事・論文

ランダムテレグラフノイズ(RTN)の統計的評価手法と微細MOSFETばらつきへの影響

三木 浩史,手賀 直樹,山岡 雅直 他

詳細情報

タイトル ランダムテレグラフノイズ(RTN)の統計的評価手法と微細MOSFETばらつきへの影響
著者 三木 浩史
著者 手賀 直樹
著者 山岡 雅直 他
シリーズ名 シリコン材料・デバイス・IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
出版年 2013-01-30
別タイトル Statistical Analysis of Random Telegraph Noise (RTN) and its Impact on Variation in Threshold Voltage of Highly Scaled MOSFET
件名(キーワード) ランダムテレグラフノイズ
件名(キーワード) high-κ
件名(キーワード) メタルゲート
件名(キーワード) BTI
件名(キーワード) 隠れマルコフモデル
件名(キーワード) random telegraph noise
件名(キーワード) metal gate
件名(キーワード) hidden Markov model
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 09135685
掲載誌情報(ISSNL形式) 09135685
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
掲載誌名 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
掲載巻 112
掲載号 421
掲載ページ 31-34
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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