酸化物半導体TFTのシミュレーションモデルの開発 (電子ディスプレイ)

酸化物半導体TFTのシミュレーションモデルの開発

(電子ディスプレイ)

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資料種別: 記事
タイトル: 酸化物半導体TFTのシミュレーションモデルの開発
著者・編者: 辻博史
中田充
佐藤弘人他
シリーズタイトル: 電子ディスプレイ
著者標目: 辻博史
中田充
佐藤弘人
並列タイトル等: Development of Simulation Model for Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors
タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）: 112(409):2013.1.24・25
掲載巻: 112
掲載号: 409
掲載ページ: 69-72
掲載年月日（W3CDTF）: 2013-01
ISSN（掲載誌）: 0913-5685
ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
件名標目: 酸化物半導体
薄膜トランジスタ
デバイスモデリング
シミュレーション
Oxide semiconductor
Thin-film transistor
Device modeling
Simulation
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
レポート番号（雑誌記事）: IDY2013-7
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-940
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 024262953
http://id.ndl.go.jp/bib/024262953
整理区分コード: 632