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書誌情報
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- 資料種別
- 記事
- 著者・編者
- 張 睿黄 博勤林 汝静 他
- 並列タイトル等
- Ge p- and n-MOSFETの高電界領域での移動度劣化機構の解析と原子層平坦GeOx/Ge界面による移動度の向上 Ge p- and n-MOSFET ノ コウデンカイ リョウイキ デ ノ イドウド レッカ キコウ ノ カイセキ ト ゲンシソウ ヘイタン GeOx/Ge カイメン ニ ヨル イドウド ノ コウジョウ
- タイトル(掲載誌)
- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
- 巻号年月日等(掲載誌)
- 112(421):2013.1.30
- 掲載巻
- 112
- 掲載号
- 421