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資料種別 記事・論文

Physical Mechanism Determining Ge p- and n-MOSFETs Mobility in High Ns Region and Mobility Improvement by Atomically Flat GeOx/Ge Interfaces

張 睿,黄 博勤,林 汝静 他

詳細情報

タイトル Physical Mechanism Determining Ge p- and n-MOSFETs Mobility in High Ns Region and Mobility Improvement by Atomically Flat GeOx/Ge Interfaces
著者 張 睿
著者 黄 博勤
著者 林 汝静 他
シリーズ名 シリコン材料・デバイス・IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
出版年 2013-01-30
別タイトル Ge p- and n-MOSFETの高電界領域での移動度劣化機構の解析と原子層平坦GeOx/Ge界面による移動度の向上
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 09135685
掲載誌情報(ISSNL形式) 09135685
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
掲載誌名 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
掲載巻 112
掲載号 421
掲載ページ 9-13
言語(ISO639-2形式) eng : English

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