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資料種別 記事・論文

高信頼性携帯電話基地局用GaN HEMTの開発

八巻 史一,出口 博昭,宇井 範彦 他

詳細情報

タイトル 高信頼性携帯電話基地局用GaN HEMTの開発
著者 八巻 史一
著者 出口 博昭
著者 宇井 範彦 他
出版年 2013-01
別タイトル Development of High Reliability GaN HEMT for Cellular Base Stations
件名(キーワード) GaN HEMT
件名(キーワード) base station
件名(キーワード) reliability
件名(キーワード) ruggedness
件名(キーワード) amplifier
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 13434330
掲載誌情報(ISSNL形式) 13434330
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000102627-00
掲載誌名 SEIテクニカルレビュー
掲載号 182
掲載ページ 75-79
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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