Advanced 10nm Width Silicon-on-Insulator Tri-Gate Transistors with NO Annealing of Gate Oxide Using Optimized Novel Silicon-on-Insulator Realization Technology (Special Issue : Solid State Devices and Materials (2))

Advanced 10nm Width Silicon-on-Insulator Tri-Gate Transistors with NO Annealing of Gate Oxide Using Optimized Novel Silicon-on-Insulator Realization Technology

(Special Issue : Solid State Devices and Materials (2))

国立国会図書館請求記号: Z53-A375
国立国会図書館書誌ID: 023587852

資料種別: 記事

著者: Sung Hwan Kimほか

出版者: Tokyo : The Japan Society of Applied Physics

出版年: 2012-04

資料形態: 紙

掲載誌名: Japanese journal of applied physics : JJAP 51(4)(2):2012.4

掲載ページ: p.04DC04-1-6

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紙

資料種別: 記事
タイトル: Advanced 10nm Width Silicon-on-Insulator Tri-Gate Transistors with NO Annealing of Gate Oxide Using Optimized Novel Silicon-on-Insulator Realization Technology
著者・編者: Sung Hwan Kim
Hyun Jun Bae
Chang Woo Oh 他
シリーズタイトル: Special Issue : Solid State Devices and Materials (2)
著者標目: Sung Hwan Kim
Hyun Jun Bae
Chang Woo Oh
タイトル（掲載誌）: Japanese journal of applied physics : JJAP
巻号年月日等（掲載誌）: 51(4)(2):2012.4
掲載巻: 51
掲載号: 4
掲載通号: 2
掲載ページ: 04DC04-1-6
掲載年月日（W3CDTF）: 2012-04
ISSN（掲載誌）: 0021-4922
ISSN-L（掲載誌）: 0021-4922
出版事項（掲載誌）: Tokyo : The Japan Society of Applied Physics
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: eng
NDLC: ZM35
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z53-A375
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 023587852
http://id.ndl.go.jp/bib/023587852
整理区分コード: 632