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資料種別 記事・論文

H₂O導入MOCVD法によるCeO₂薄膜形成時の堆積メカニズムと電気特性

木樽 智也,島田 洋希,多田 直裕 他

詳細情報

タイトル H₂O導入MOCVD法によるCeO₂薄膜形成時の堆積メカニズムと電気特性
著者 木樽 智也
著者 島田 洋希
著者 多田 直裕 他
出版年 2010
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 02860201
掲載誌情報(ISSNL形式) 02860201
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000036034-00
掲載誌名 法政大学イオンビーム工学研究所報告
掲載巻 -
掲載号 31
掲載通号 -
掲載ページ 23-26
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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