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異なる基板を用いた場合におけるGaN単結晶の転位密度・残留応力の数値解析

異なる基板を用いた場合におけるGaN単結晶の転位密度・残留応力の数値解析
デジタル文書・図像類
中野, 智九州大学応用力学研究所2016-10九州大学応用力学研究所技術職員技術レポート17p.1-7
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