伊熊 泰郎<Z17-226>耐火物75(1)=780:2023.1p.30-34
国立国会図書館全国の図書館
蟹江 創造<Z16-317>東芝レビュー = Toshiba review / 東芝ビジネスエキスパート株式会社ビジネスソリューション事業部 編集・制作78(1)=840:2023.1p.19-22
国立国会図書館全国の図書館
須田 淳, 堀田 昌宏, 鐘ヶ江 一孝<Z15-243>応用物理90(10)=1031:2021.10p.628-632
国立国会図書館全国の図書館
- 要約等...開発，あるいは，デバイス設計に点欠陥の知見は不可欠であるが，SiやGaAsに比べると，GaNの点欠陥の理解はまだまだ不足している．議論が分かれていた電子トラップ...
伊東 千尋<Z15-8>プラズマ・核融合学会誌 = Journal of plasma and fusion research / プラズマ・核融合学会編集委員会 編94(10):2018.10p.496-500
国立国会図書館全国の図書館
永岡 章<Z15-561>放射光 : 日本放射光学会誌 = Journal of the Japanese Society for Synchrotron Radiation Research / 日本放射光学会 編36(6):2023.11p.280-287
国立国会図書館全国の図書館
野口 祐二, 松尾 拓紀<YH247-1397>日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth49(4):2022p.1-7
国立国会図書館全国の図書館
南川, 英輝Kyoto University2022-09-26
インターネットで読める国立国会図書館全国の図書館
野田 祐輔, 末岡 浩治<YH247-1397>日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth49(4):2022p.1-8
国立国会図書館全国の図書館
米永 一郎<Z15-243>応用物理86(12)=984:2017.12p.1040-1051
国立国会図書館全国の図書館
- 要約等<p>半導体中の固有点欠陥はデバイスの性能と劣化に影響す......みにある．ここでは，半導体中の点欠陥の原子構造と電荷状態の基礎的な説明のあと，シリコンでの形成エ...
寺地 徳之<Z17-289>金属92(9)=1232:2022.9p.895-901
国立国会図書館全国の図書館
徳納 一成, 光原 昌寿, 萩野 将広<Z17-314>日本金属学会誌 = The journal of the Japan Institute of Metals and Materials87(3・4):2023.3・4p.67-80
国立国会図書館全国の図書館
河村 貴宏, 秋山 亨, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 吉村 政志, 森 勇介, 森川 良忠, 寒川 義裕<YH247-1397>日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth50(1):2023p.1-8
国立国会図書館全国の図書館
徳田 豊<Z15-243>応用物理82(10):2013.10p.862-865
国立国会図書館全国の図書館
- 要約等...を基礎とした評価法が，半導体の点欠陥研究に用いられる．なかでもDL......，GaAs，AlGaAsなどの点欠陥評価に用いられてきた．近年，高耐圧，高温動作，高周波デバイス...
史, 鏡明Hokkaido University2020-09-25
インターネットで読める国立国会図書館全国の図書館
- 並列タイトル等（連結）核融合炉用Fe基複合材料の照射損傷に及ぼす点欠陥の影響
- 並列タイトル等核融合炉用Fe基複合材料の照射損傷に及ぼす点欠陥の影響
須藤, 治生2021-03-24
インターネットで読める国立国会図書館全国の図書館
桑原 彰秀, 小川 貴史, クレイグ フィッシャー, 森分 博紀<Z17-223>触媒 = Catalysts & catalysis62(1):2020.1p.29-34
国立国会図書館全国の図書館
Morimoto, Takaaki, 森本, 貴明2016
国立国会図書館
熊谷 悠<Z17-313>まてりあ = Materia Japan55(5):2016.5p.221-224
国立国会図書館全国の図書館
梶原 浩一<Z17-1191>New glass33(3)=125:2018.11p.33-37
国立国会図書館全国の図書館