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検索結果 39,266 件

航空産業向けSiC複合材料の開発 (小特集 SiC複合材料の近年の進歩と展望)

航空産業向けSiC複合材料の開発 (小特集 SiC複合材料の近年の進歩と展望)
紙記事
中村 武志<Z15-8>プラズマ・核融合学会誌 = Journal of plasma and fusion research / プラズマ・核融合学会編集委員会 編98(8):2022.8p.360-364
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  • 件名ceramics composite cmc sic gas turbine jet engine
  • 並列タイトル等（連結）Development of SiC Composites for Aircraft Indus...
  • 並列タイトル等Development of SiC Composites for Aircraft Indus...

SiC複合材を利用したブランケット・熱交換器の開発 (小特集 SiC複合材料の近年の進歩と展望)

SiC複合材を利用したブランケット・熱交換器の開発 (小特集 SiC複合材料の近年の進歩と展望)
紙記事
小西 哲之<Z15-8>プラズマ・核融合学会誌 = Journal of plasma and fusion research / プラズマ・核融合学会編集委員会 編98(8):2022.8p.349-354
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  • 件名SiC composite blanket intermediat...
  • 並列タイトル等（連結）Development of Blanket and Intermediate Heat Exchanger with SiC Composite
  • 並列タイトル等Development of Blanket and Intermediate Heat Exchanger with SiC Composite

SiCの腐食とセラミックス防食技術の開発 (小特集 SiC複合材料の近年の進歩と展望)

SiCの腐食とセラミックス防食技術の開発 (小特集 SiC複合材料の近年の進歩と展望)
紙記事
近藤 創介<Z15-8>プラズマ・核融合学会誌 = Journal of plasma and fusion research / プラズマ・核融合学会編集委員会 編98(8):2022.8p.338-343
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  • 並列タイトル等（連結）Corrosion of SiC and Development of Corrosion ...
  • 並列タイトル等Corrosion of SiC and Development of Corrosion ...

SiC複合材料の破壊挙動 : 損傷蓄積過程の見える化 (小特集 SiC複合材料の近年の進歩と展望)

SiC複合材料の破壊挙動 : 損傷蓄積過程の見える化 (小特集 SiC複合材料の近年の進歩と展望)
紙記事
野澤 貴史<Z15-8>プラズマ・核融合学会誌 = Journal of plasma and fusion research / プラズマ・核融合学会編集委員会 編98(8):2022.8p.344-348
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  • 並列タイトル等（連結）Failure Behavior of SiC Composites : Visualization of...
  • 並列タイトル等Failure Behavior of SiC Composites : Visualization of...

事故耐性燃料被覆管材料としてのSiC複合材料の開発 (小特集 SiC複合材料の近年の進歩と展望)

事故耐性燃料被覆管材料としてのSiC複合材料の開発 (小特集 SiC複合材料の近年の進歩と展望)
紙記事
檜木 達也<Z15-8>プラズマ・核融合学会誌 = Journal of plasma and fusion research / プラズマ・核融合学会編集委員会 編98(8):2022.8p.355-359
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  • 並列タイトル等（連結）Development of SiC Composites as Accident Tolera...
  • 並列タイトル等Development of SiC Composites as Accident Tolera...

潜在力はSiCの数倍 酸化ガリウムが23年実用へ (特集 昇日のポストSiC ; 酸化ガリウム)

潜在力はSiCの数倍 酸化ガリウムが23年実用へ (特集 昇日のポストSiC ; 酸化ガリウム)
紙記事
<Z16-751>日経エレクトロニクス = Nikkei electronics : sources of innovation(1248):2023.2p.51-56
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軍事・宇宙でポストSiCに参入余地 あの電磁砲で使われる可能性も (特集 昇日のポストSiC)

軍事・宇宙でポストSiCに参入余地 あの電磁砲で使われる可能性も (特集 昇日のポストSiC)
紙記事
<Z16-751>日経エレクトロニクス = Nikkei electronics : sources of innovation(1248):2023.2p.44-50
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パワーデバイス用SiC結晶 : 4H-SiC結晶成長技術の進展 (特集 パワーデバイス用半導体結晶 : Si,SiC,GaN,ダイヤモンド,Ga₂O₃)

パワーデバイス用SiC結晶 : 4H-SiC結晶成長技術の進展 (特集 パワーデバイス用半導体結晶 : Si,SiC,GaN,ダイヤモンド,Ga₂O₃)
紙デジタル記事
土田 秀一<Z16-177>電気学会誌 = The journal of the Institute of Electrical Engineers of Japan137(10):2017.10p.677-680
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  • 要約等<p>1．はじめに</p><p>シリコンカーバイド（SiC）パワーデバイスは，現有シリコ......では，600～3 300V級のSiCショットキーバ</p>
  • 件名4H-SiC パワーデバイス エピタキシャル成長 バルク成長 結晶欠陥
  • 参照... and device physics in SiC technology for......of a 150 mm 4H-SiC epitaxial reac......l growth of 4H-SiC by high-temper...... current in 4H-SiC diodes High-Sp......d Growth of 4H-SiC Single Crystal......al modeling of SiC single crystal...... defects in 4H‐SiC epitaxial growth and developm...

電力事業応用を指向したSiCデバイスとSiCインバータの開発 : SiCパワーエレクトロニクス開発史 (電気技術史研究会 SiCパワーエレクトロニクス開発史および電気技術史一般)

電力事業応用を指向したSiCデバイスとSiCインバータの開発 : SiCパワーエレクトロニクス開発史 (電気技術史研究会 SiCパワーエレクトロニクス開発史および電気技術史一般)
紙記事
菅原 良孝<Z16-2649>電気学会研究会資料. HEE = The papers of technical meeting on "History of Electrical Engineering", IEE Japan2018(1-8):2018.1.29p.41-46
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  • 件名SiCパワーデバイス SiCサイリスタ SiC UMOSFET SiC pnダイオード JBSダイオード SiCモジュール 高耐熱レジン TEDREC現象 SiCインバータ 過負荷出力 SiC power device SiC thyristor SiC pn diode JBS diode SiC module high he......DREC phenomena SiC inverter over road power capa...
  • 並列タイトル等（連結）Developments of SiC devices and SiC Inverters aimed at Electric P...
  • 並列タイトル等Developments of SiC devices and SiC Inverters aimed at Electric P...

SiCとGaNはなぜ注目される? 「パワー半導体」10の疑問 (特集 EV大競争で需要爆発 SiC待ったなし)

SiCとGaNはなぜ注目される? 「パワー半導体」10の疑問 (特集 EV大競争で需要爆発 SiC待ったなし)
紙記事
<Z16-751>日経エレクトロニクス = Nikkei electronics : sources of innovation(1243):2022.9p.48-53
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パワーデバイス用SiCウェーハの加工技術 (特集 SiC研磨技術の現状と新加工法)

パワーデバイス用SiCウェーハの加工技術 (特集 SiC研磨技術の現状と新加工法)
紙記事
加藤 智久<Z16-1147>Abrasive technology : 砥粒加工学会誌 : journal of the Japan Society for Abrasive Technology61(8)=420:2017.8p.418-421
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  • 並列タイトル等（連結）General remarks of SiC wafer processing for power de...
  • 並列タイトル等General remarks of SiC wafer processing for power de...

プラズマ援用研磨によるSiCのダメージフリー仕上げ (特集 SiC研磨技術の現状と新加工法)

プラズマ援用研磨によるSiCのダメージフリー仕上げ (特集 SiC研磨技術の現状と新加工法)
紙記事
山村 和也<Z16-1147>Abrasive technology : 砥粒加工学会誌 : journal of the Japan Society for Abrasive Technology61(8)=420:2017.8p.430-433
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  • 件名plasma assisted polishing 4H-SiC CVD-SiC damage-free plasma nanomanufa...
  • 並列タイトル等（連結）Damage-free finishing of SiC by plasma assisted polishing
  • 並列タイトル等Damage-free finishing of SiC by plasma assisted polishing

SiCパワーデバイスが2025年についに離陸 EVへの大量搭載が契機 (特集 EV大競争で需要爆発 SiC待ったなし)

SiCパワーデバイスが2025年についに離陸 EVへの大量搭載が契機 (特集 EV大競争で需要爆発 SiC待ったなし)
紙記事
<Z16-751>日経エレクトロニクス = Nikkei electronics : sources of innovation(1243):2022.9p.54-57
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テスラ採用でSTがSiC第1ラウンド制す ロームやインフィニオンが猛追 (特集 EV大競争で需要爆発 SiC待ったなし)

テスラ採用でSTがSiC第1ラウンド制す ロームやインフィニオンが猛追 (特集 EV大競争で需要爆発 SiC待ったなし)
紙記事
<Z16-751>日経エレクトロニクス = Nikkei electronics : sources of innovation(1243):2022.9p.58-62
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SiCに積極投資のデンソーと富士電機 三菱・東芝は乗り遅れる可能性 (特集 EV大競争で需要爆発 SiC待ったなし)

SiCに積極投資のデンソーと富士電機 三菱・東芝は乗り遅れる可能性 (特集 EV大競争で需要爆発 SiC待ったなし)
紙記事
<Z16-751>日経エレクトロニクス = Nikkei electronics : sources of innovation(1243):2022.9p.63-66
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SiC要素技術研究と低オン抵抗SiC EC MOS FETの開発 (電気技術史研究会 SiCパワーエレクトロニクス開発史および電気技術史一般)

SiC要素技術研究と低オン抵抗SiC EC MOS FETの開発 (電気技術史研究会 SiCパワーエレクトロニクス開発史および電気技術史一般)
紙記事
原 邦彦<Z16-2649>電気学会研究会資料. HEE = The papers of technical meeting on "History of Electrical Engineering", IEE Japan2018(1-8):2018.1.29p.31-39
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  • 件名SiC EC-FET オン抵抗値 縦型MOS電界効果トランジスタ ...
  • 並列タイトル等（連結）...logies for the SiC EC MOS FETs which brought a b...
  • 並列タイトル等...logies for the SiC EC MOS FETs which brought a b...

SiCパワーデバイスの現状と展開 (特集 SiC/GaNパワー半導体の現状と展開)

SiCパワーデバイスの現状と展開 (特集 SiC/GaNパワー半導体の現状と展開)
紙記事
松波 弘之<Z74-E810>まぐね = Magnetics Japan11(5)=95:2016p.244-248
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  • 件名silicon carbide (SiC) SBD (Schottky barrier diode)...
  • 並列タイトル等（連結）State-of-the-Art SiC Power Devices and Future Pros...
  • 並列タイトル等State-of-the-Art SiC Power Devices and Future Pros...

V溝型SiCトレンチMOSFET搭載フルSiCパワーモジュール (電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

V溝型SiCトレンチMOSFET搭載フルSiCパワーモジュール (電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)
紙記事
金田 達志, 日吉 透, 内田 光亮, 倉島 宏実<Z43-225>電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]2022(32-37・39-50):2022.12.1p.1-5
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  • 件名SiCパワーモジュール トレンチMO......低損失 信頼性試験 Full SiC module V-groove Trench MOSFET...
  • 並列タイトル等（連結）Full SiC Power Module with 4H-SiC V-groove Trench MOSFETs
  • 並列タイトル等Full SiC Power Module with 4H-SiC V-groove Trench MOSFETs

V溝型SiCトレンチMOSFET搭載フルSiCパワーモジュール (電子デバイス/半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

V溝型SiCトレンチMOSFET搭載フルSiCパワーモジュール (電子デバイス/半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)
紙記事
金田 達志, 日吉 透, 内田 光亮, 倉島 宏実<Z43-243>電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編]2022(172-177・179-190):2022.12.1p.1-5
国立国会図書館全国の図書館
  • 件名SiCパワーモジュール トレンチMO......低損失 信頼性試験 Full SiC module V-groove Trench MOSFET...
  • 並列タイトル等（連結）Full SiC Power Module with 4H-SiC V-groove Trench MOSFETs
  • 並列タイトル等Full SiC Power Module with 4H-SiC V-groove Trench MOSFETs

SiCパワーデバイス開発の現状とその応用 (特集 SiC/GaNパワー半導体の現状と展開)

SiCパワーデバイス開発の現状とその応用 (特集 SiC/GaNパワー半導体の現状と展開)
紙記事
中村 孝<Z74-E810>まぐね = Magnetics Japan11(5)=95:2016p.249-253
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  • 件名SiC trench MOSFET power module hi...
  • 並列タイトル等（連結）Current Situation of the SiC Power Devices Development and...
  • 並列タイトル等Current Situation of the SiC Power Devices Development and...