2010-08-30応用物理学会学術講演会講演予稿集2010.2 0p.3053-3053
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2012-08-27応用物理学会学術講演会講演予稿集2012.2 0p.3123-3123
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2013-08-31応用物理学会学術講演会講演予稿集2013.2 0p.3920-3920
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末宗, 幾夫, 北海道大学1995-1997<Y151-H07455126>
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- 件名II-VI族半導体 励起子 ZnSe MgS 歪み超格子 MOCVD 閃亜鉛鉱...
水貝, 俊治, 大阪大学1993-1994<Y151-H05640378>
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- 件名II-VI族半導体 ラマン散乱 フオノン 光誘起原子移動 光誘起構造変化
西谷, 龍介, 九州工業大学1994-1995<Y151-H06640449>
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2001応用物理70 3p.317-321
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記事
2005-02-01電子情報通信学会誌 = THE JOURNAL OF THE INSTITUTE OF ELECTRONICS, INFOMATION AND COMMUNICATION ENGINEERS88 2p.128-129
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大野, 哲一郎静岡大学1999-09-27
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岩永, 浩, 長崎大学1988-1989<Y151-S63550019>
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研究代表者 小野寺 彰[北海道大学]2003.3
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更家 淳司, 松村 信男2003真空46 2p.111-115
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- 並列タイトル等（連結）ＩＩ‐ＶＩ族半導体量子ドットの作製と発光デバイスヘの応用
- 並列タイトル等ＩＩ‐ＶＩ族半導体量子ドットの作製と発光デバイスヘの応用
記事
2005オプトロニクス24 6p.155-159
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1998応用物理67 7p.20-27
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1998応用物理67 7p.20-27
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1998応用物理67 7p.20-27
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1998応用物理67 7p.802-806
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- 要約等ワイドギヤップII-VI族半導体材料のナノ量子ドット系の開発により,新しい光物性・機能が創製...
記事
1998応用物理67 7p.20-27
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2001日本物理学会講演概要集56.2.4 0p.813-
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小野寺 彰1998日本物理学会誌53 4p.282-286
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- 要約等II-VI族半導体ZnOのZnをLiで一部置換すると強誘電性を示すことが見出さ...
- 並列タイトル等（連結）ＩＩ‐ＶＩ族半導体ＺｎＯにおける新たな強誘電相
- 並列タイトル等ＩＩ‐ＶＩ族半導体ＺｎＯにおける新たな強誘電相