「半導体エレクトロニクス」のOpenURLのAPI検索結果 | NDLサーチ

検索結果 220 件

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半導体エレクトロニクス (岩波講座物理の世界 ; 物質科学の発展 ; 4)

紙図書

石原宏著岩波書店2002.10<MC151-H1>

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内容細目半導体エレクトロニクス石原／宏著石原宏著石原宏石原　宏／著石原宏...

ダウンコンバージョンによる太陽電池の変換効率向上を目指したTm,Yb共添加ZnOナノワイヤの作製と光学評価 (特集半導体エレクトロニクス)

紙デジタル記事

舘林潤, 西山直登, Dolf Timmerman, 市川修平, 藤原康文<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]71(10):2022.10p.811-818

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ミストCVD法を用いたSi基板上Ga₂O₃成長 (特集半導体エレクトロニクス)

紙記事

菊池瑛嗣, 金子健太郎, 藤田静雄<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]71(10):2022.10p.835-840

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LiTaO₃基板上へのα-Ga₂O₃の成長にα-Fe₂O₃バッファ層の成長時間が与える影響 (特集半導体エレクトロニクス)

紙記事

島添和樹, 西中浩之, 新田悠汰, 吉本昌広<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]71(10):2022.10p.830-834

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Nitrogen Radical Beam Irradiation on InN Film for Surface Modification (特集半導体エレクトロニクス)

紙デジタル記事

Tsutomu ARAKI, Faizulsalihin Bin ABAS, Naoki GOTO, Ryouichi FUJITA, Shinichiro MOURI<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]71(10):2022.10p.824-829

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へき開した自立n-GaN基板のm面に形成したAu/Niショットキー接触における表面処理の影響 (特集半導体エレクトロニクス)

紙記事

塩島謙次, 今林弘毅, 三島友義<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]71(10):2022.10p.819-823

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Repeatability and Mechanisms of Threading Dislocation Reduction in InN Film Grown with In Situ Surface Modification by Radical Beam Irradiation (特集半導体エレクトロニクス)

紙デジタル記事

Tsutomu ARAKI, Faizulsalihin Bin ABAS, Ryouichi FUJITA, Shinichiro MOURI<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]70(10):2021.10p.732-737

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ミストデポジション法によるフラーレンの結晶化制御とn型有機トランジスタへの応用 (特集半導体エレクトロニクス)

紙デジタル記事

香取重尊, 小橋孝太郎<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]70(10):2021.10p.745-750

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原子層半導体と分子性化合物の融合機能化 (特集半導体エレクトロニクス)

紙デジタル記事

桐谷乃輔, 藤村紀文<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]70(10):2021.10p.721-726

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真空紫外領域(200nm以下)で発光する半導体材料の研究 (特集半導体エレクトロニクス)

紙デジタル記事

金子健太郎, 尾沼猛儀, 藤田静雄<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]70(10):2021.10p.727-731

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α-Fe₂O₃バッファ層の挿入によるフレキシブルな合成雲母基板上へのα-Ga₂O₃薄膜のエピタキシャル成長 (特集半導体エレクトロニクス)

紙デジタル記事

新田悠汰, 西中浩之, 島添和樹, 吉本昌広<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]70(10):2021.10p.738-744

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バッファ層導入によるサファイア基板上α-Ga₂O₃薄膜の高品質化 (特集半導体エレクトロニクス)

紙デジタル記事

金子健太郎, 伊藤義人, 藤田静雄<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]69(10):2020.10p.707-711

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有機薄膜トランジスタ用ポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜の紫外線重合における光重合開始剤の検討 (特集半導体エレクトロニクス)

紙デジタル記事

秦野航輔, 中原佳夫, 宇野和行, 田中一郎<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]69(10):2020.10p.712-716

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Ni/p-GaNショットキー接触におけるMg濃度依存性 (特集半導体エレクトロニクス)

紙デジタル記事

塩島謙次<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]69(10):2020.10p.717-720

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RF-MBEを用いたファンデルワールスエピタキシーによるグラフェン構造への窒化インジウム結晶成長 (特集半導体エレクトロニクス)

紙デジタル記事

毛利真一郎, 荒川真吾, 大江佑京, 名西穂之, 荒木努<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]69(10):2020.10p.701-706

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イッテルビウム添加イットリウムアルミニウムガーネット薄膜のアンチストークス発光特性と理想レーザー冷却性能 (特集半導体エレクトロニクス)

紙デジタル記事

中山雄太, 中川望夢, 原田幸弘, 喜多隆<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]69(10):2020.10p.727-732

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Eu添加GaNレーザ発振に向けた2次元フォトニック結晶光ナノ共振器構造の検討 (特集半導体エレクトロニクス)

紙デジタル記事

岩谷孟学, 市川修平, 村上雅人, 舘林潤, 藤原康文<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]69(10):2020.10p.721-726

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加速度計により振動の影響を低減したサブナノメートル精度ウエハフラットネス計測システム (特集半導体エレクトロニクス)

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田原和彦, 綱木英俊, 森岡哲隆, 松岡英毅, 甘中将人, 喜多隆<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]68(10):2019.10p.767-771

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Yb添加イットリウムアルミニウムガーネット結晶粉末におけるアンチストークス発光を利用した理想レーザー冷却効率 (特集半導体エレクトロニクス)

紙デジタル記事

中山雄太, 寺田康太, 原田幸弘, 喜多隆<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]68(10):2019.10p.762-766

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準安定相(非平衡)酸化物の作製と物性 (特集半導体エレクトロニクス)

紙デジタル記事

金子健太郎, 藤田静雄<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]68(10):2019.10p.733-738

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