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検索結果 882 件

Cu₂GeTe₃を用いた相変化メモリ (情報ディスプレイ)

Cu₂GeTe₃を用いた相変化メモリ (情報ディスプレイ)
紙記事
赤根 詩穂里, 堀内 功, 木村 睦<Z16-1010>映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report44(32):2020.12p.51-54
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  • 件名相変化メモリ 相変化材料 Cu₂GeTe₃ アモルファス 結晶 PCRAM phase change...
  • 並列タイトル等（連結）Phase Change Random Access Memory Using Cu₂GeTe₃
  • 並列タイトル等Phase Change Random Access Memory Using Cu₂GeTe₃

[GeTe/Sb₂Te₃]超格子の磁気容量効果 (磁気キャパシタンス効果の新展開)

[GeTe/Sb₂Te₃]超格子の磁気容量効果 (磁気キャパシタンス効果の新展開)
紙記事
鷲見 聡, 粟野 博之, 富永 淳二<Z43-594>社団法人日本磁気学会研究会資料 = Bulletin of Topical Symposium of the Magnetics Society of Japan224:2019.7.29p.33-37
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  • 並列タイトル等（連結）Magneto-capacitance of [GeTe/Sb₂Te₃] supper lattice film
  • 並列タイトル等Magneto-capacitance of [GeTe/Sb₂Te₃] supper lattice film

超格子GeTe/Sb₂Te₃メモリの第一原理計算による構造変化シミュレーション (シリコン材料・デバイス)

超格子GeTe/Sb₂Te₃メモリの第一原理計算による構造変化シミュレーション (シリコン材料・デバイス)
紙記事
小川 湧太郎, 野原 弘晶, 白川 裕規, 洗平 昌晃, 白石 賢二<Z16-940>電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報119(96):2019.6.21p.39-42
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  • 件名iPCM GeTe/Sb₂Te₃ 密度汎関数理論 Density functi...
  • 並列タイトル等（連結）First principle simulation about phase change of superlattice GeTe/Sb₂Te₃
  • 並列タイトル等First principle simulation about phase change of superlattice GeTe/Sb₂Te₃

第一原理計算による超格子GeTe/Sb₂Te₃相変化メモリの理論的検討 (シリコン材料・デバイス)

第一原理計算による超格子GeTe/Sb₂Te₃相変化メモリの理論的検討 (シリコン材料・デバイス)
紙記事
野原 弘晶, 白川 裕規, 洗平 昌晃, 白石 賢二<Z16-940>電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報118(110):2018.6.25p.37-41
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  • 件名iPCM GeTe/Sb₂Te₃ 第一原理計算 first-principle...
  • 並列タイトル等（連結）First principle investigation of superlattice GeTe/Sb₂Te₃ phase change
  • 並列タイトル等First principle investigation of superlattice GeTe/Sb₂Te₃ phase change

GeTe/Sb₂Te₃超格子を用いた相変化デバイスの研究

GeTe/Sb₂Te₃超格子を用いた相変化デバイスの研究
紙記事
高浦 則克<Z43-2637>半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集 = Proceedings of Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology79:2015.7.9・10p.69-72
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  • 並列タイトル等（連結）The study of GeTe/Sb₂Te₃ superlattice phase cha...
  • 並列タイトル等The study of GeTe/Sb₂Te₃ superlattice phase cha...

電極/Cu₂GeTe₃の接触抵抗とその相変化メモリ特性への影響

電極/Cu₂GeTe₃の接触抵抗とその相変化メモリ特性への影響
紙博士論文
進藤怜史 [著][進藤怜史][2018]<UT51-2018-B422>
国立国会図書館
  • 並列タイトル等（連結）...ce of metal/Cu₂GeTe₃ and its influence on electri...
  • 並列タイトル等...ce of metal/Cu₂GeTe₃ and its influence on electri...

非磁性(GeTe)/(SbTe)超格子における巨大磁気光学効果 (マルチメディアストレージ)

非磁性(GeTe)/(SbTe)超格子における巨大磁気光学効果 (マルチメディアストレージ)
紙記事
粟野 博之, Bang Do, 富永 淳二<Z16-1010>映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report39(9):2015.3p.23-27
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  • 件名相変化 トポロジカル絶縁体 [(GeTe)₂/(Sb₂Te₃)₁]₂₀......e Change iPCM (GeTe)₂/(Sb₂Te₃)₁ magneto optical K...
  • 並列タイトル等（連結）Magneto-optical Kerr effect of [(GeTe)₂/(Sb₂Te₃)₁]n superlattice wi...
  • 並列タイトル等Magneto-optical Kerr effect of [(GeTe)₂/(Sb₂Te₃)₁]n superlattice wi...

非磁性(GeTe)/(SbTe)超格子における巨大磁気光学効果 (磁気記録・情報ストレージ)

非磁性(GeTe)/(SbTe)超格子における巨大磁気光学効果 (磁気記録・情報ストレージ)
紙記事
粟野 博之, Bang Do, 富永 淳二<Z16-940>電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報114(505):2015.3.6p.23-27
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  • 件名相変化 トポロジカル絶縁体 [(GeTe)₂/(Sb₂Te₃)₁]₂₀......e Change iPCM (GeTe)₂/(Sb₂Te₃)₁ magneto optical K...
  • 並列タイトル等（連結）Magneto-optical Kerr effect of [(GeTe)₂/(Sb₂Te₃)₁]n superlattice wi...
  • 並列タイトル等Magneto-optical Kerr effect of [(GeTe)₂/(Sb₂Te₃)₁]n superlattice wi...

レーザパルス光照射によるGeTe結晶相/アモルファス相周期構造形成機構の解明 (磁気記録・情報ストレージ)

レーザパルス光照射によるGeTe結晶相/アモルファス相周期構造形成機構の解明 (磁気記録・情報ストレージ)
紙記事
森本 悠介, 秋本 良太, 桑原 正史, 斎木 敏治<Z16-940>電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報115(490):2016.3.4p.33-36
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  • 件名相変化材料 GeTe 周期構造 Phase Change Materials P...
  • 並列タイトル等（連結）...e formation in GeTe by pulsed laser irradiation
  • 並列タイトル等...e formation in GeTe by pulsed laser irradiation

レーザパルス光照射によるGeTe結晶相/アモルファス相周期構造形成機構の解明 (マルチメディアストレージ)

レーザパルス光照射によるGeTe結晶相/アモルファス相周期構造形成機構の解明 (マルチメディアストレージ)
紙記事
森本 悠介, 秋本 良太, 桑原 正史, 斎木 敏治<Z16-1010>映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report40(7):2016.3p.33-36
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  • 件名相変化材料 GeTe 周期構造 Phase Change Materials P...
  • 並列タイトル等（連結）...e formation in GeTe by pulsed laser irradiation
  • 並列タイトル等...e formation in GeTe by pulsed laser irradiation

自然超格子構造を有するGeTe-Bi₂Te₃系化合物の熱電材料への応用

自然超格子構造を有するGeTe-Bi₂Te₃系化合物の熱電材料への応用
記録メディア記事
小菅 厚子<YH247-410>旭硝子財団助成研究成果報告 = Reports of research assisted by the Asahi Glass Foundation2015p.1-7
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  • 並列タイトル等（連結）Application of GeTe-Bi₂Te₃ Compounds with Natural...
  • 並列タイトル等Application of GeTe-Bi₂Te₃ Compounds with Natural...

層状化合物Fe3GeTe2の合成と磁性 (特集 新しい電子物性を創生する遷移金属(希土類)化合物)

層状化合物Fe3GeTe2の合成と磁性 (特集 新しい電子物性を創生する遷移金属(希土類)化合物)
紙デジタル記事
陳 斌, 楊 金虎, 太田 寛人 他<Z17-274>粉体および粉末冶金 = Journal of the Japan Society of Powder and Powder Metallurgy : 粉体粉末冶金協会誌 / 粉体粉末冶金協会 編57(3) 2010.3p.172～176
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  • 要約等Fe<SUB>3</SUB>GeTe<SUB>2</SUB> was synthesized b...
  • 件名Fe3GeTe2 solid state reaction Arrott ...
  • 並列タイトル等（連結）Synthesis and magnetic properties of the layered compound Fe3GeTe2

パルスレーザによるGe-Sbおよび(GeTe)-(Bi₂Te₃)ナノ粒子の結晶化特性 (磁気記録・情報ストレージ)

パルスレーザによるGe-Sbおよび(GeTe)-(Bi₂Te₃)ナノ粒子の結晶化特性 (磁気記録・情報ストレージ)
紙記事
槌野 晶夫, 佐藤 秀二, 古宮 成 他<Z16-940>電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報112(416):2013.1.25p.13-16
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  • 並列タイトル等（連結）Crystallization properties Ge-Sb and (GeTe)-( Bi₂Te₃) nanoparticles by p...
  • 並列タイトル等Crystallization properties Ge-Sb and (GeTe)-( Bi₂Te₃) nanoparticles by p...

パルスレーザによるGe-Sbおよび(GeTe)-(Bi₂Te₃)ナノ粒子の結晶化特性 (マルチメディアストレージ コンシューマエレクトロニクス)

パルスレーザによるGe-Sbおよび(GeTe)-(Bi₂Te₃)ナノ粒子の結晶化特性 (マルチメディアストレージ コンシューマエレクトロニクス)
紙記事
槌野 晶夫, 佐藤 秀二, 古宮 成 他<Z16-1010>映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report37(3):2013.1p.13-16
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  • 並列タイトル等（連結）Crystallization properties Ge-Sb and (GeTe)-( Bi₂Te₃) nanoparticles by p...
  • 並列タイトル等Crystallization properties Ge-Sb and (GeTe)-( Bi₂Te₃) nanoparticles by p...

縮重化合物半導体GeTeに於ける電子構造の制御による熱電変換効率向上

縮重化合物半導体GeTeに於ける電子構造の制御による熱電変換効率向上
紙記事
舩島 洋紀, 小菅 厚子<Z74-F708>近畿大学工業高等専門学校研究紀要 / 近畿大学工業高等専門学校研究紀要委員会 編 = Research reports / Kinki University Technical College(15):2021p.75-81
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Phase-change characteristics and crystal structure in multi stacked GeTe/InTe films

Phase-change characteristics and crystal structure in multi stacked GeTe/InTe films
紙デジタル記事
Ki-Hong Kim, Jun-Ho Lee, Yong-Koo Kyoung<Z53-A375>Japanese journal of applied physics : JJAP50(10) (1) 2011.10p.101802-1～4
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  • 要約等... multi stacked GeTe/InTe layers we......ated. When the GeTe layer was thic......inate from the GeTe layers, there ...... a decrease in GeTe thickness. If the GeTe layer was thinner than the In...
  • 参照...d switching in GeTe phase change m......n incorporated GeTe phase change t......tallization of GeTe–Bi2Te3 mixed l......nitrogen-doped GeTe films Amorphou......ion of (InTe)x(GeTe) thin films Ch......hange material GeTe with nitrogen doping and anne...

招待講演 GeTe/Sb₂Te₃超格子薄膜がもつ鏡面対称高温磁気カー回転 : カルコゲン化合物超格子に潜むトポロジカル絶縁体特性 (磁気記録・情報ストレージ)

招待講演 GeTe/Sb₂Te₃超格子薄膜がもつ鏡面対称高温磁気カー回転 : カルコゲン化合物超格子に潜むトポロジカル絶縁体特性 (磁気記録・情報ストレージ)
紙記事
富永 淳二, Do Bang, 粟野 博之<Z16-940>電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報114(234):2014.10.2・3p.17-21
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  • 件名Ge-Sb-Te合金 GeTe/Sb₂Te₃超格子 相変化メ...... change memory GeTe/Sb₂Te₃ superlattice Magneto-o...
  • 並列タイトル等（連結）...-rotation from GeTe/Sb₂Te₃ Superlattice : Topolog...
  • 並列タイトル等...-rotation from GeTe/Sb₂Te₃ Superlattice : Topolog...

招待講演 GeTe/Sb₂Te₃超格子薄膜がもつ鏡面対称高温磁気カー回転 : カルコゲン化合物超格子に潜むトポロジカル絶縁体特性 (マルチメディアストレージ)

招待講演 GeTe/Sb₂Te₃超格子薄膜がもつ鏡面対称高温磁気カー回転 : カルコゲン化合物超格子に潜むトポロジカル絶縁体特性 (マルチメディアストレージ)
紙記事
富永 淳二, Do Bang, 粟野 博之<Z16-1010>映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report38(38):2014.10p.17-21
国立国会図書館全国の図書館
  • 件名Ge-Sb-Te合金 GeTe/Sb₂Te₃超格子 相変化メ...... change memory GeTe/Sb₂Te₃ superlattice Magneto-o...
  • 並列タイトル等（連結）...-rotation from GeTe/Sb₂Te₃ Superlattice : Topolog...
  • 並列タイトル等...-rotation from GeTe/Sb₂Te₃ Superlattice : Topolog...

相変化記録材料GeTe-Sb2Te3擬二元系化合物の結晶構造

相変化記録材料GeTe-Sb2Te3擬二元系化合物の結晶構造
紙デジタル記事
松永 利之, 山田 昇, 木舩 弘一 他<Z15-138>日本結晶学会誌 = Journal of the Crystallographic Society of Japan51(5) 2009.10p.292～299
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  • 要約等...ding material, GeTe-Sb<sub>2</sub>......ical formula, (GeTe)<sub><i>n</i></sub>(Sb<sub>2<...
  • 参照...ompound in the GeTe-Sb<sub>2</sub>......transitions of GeTe-Sb2Te3 pseudob......ic compound in GeTe–Sb<sub>2</sub>......stributed in a GeTe−Sb<sub>2</sub>......</mml:math>and GeTe Structural cha......acteristics of GeTe-rich GeTe–Sb2Te3 pseudob...... compounds of (GeTe)n (Sb2Te3)m homologous series...
  • 並列タイトル等（連結）Crystal structures of phase-change recording material, GeTe-Sb2Te3 pseudo-binary compound...

Fabrication of multilevel switching high density phase change data recording using stacked GeTe/GeSbTe structure

Fabrication of multilevel switching high density phase change data recording using stacked GeTe/GeSbTe structure
紙デジタル記事
Sung-Hoon Hong, Heon Lee, Kang-In Kim 他<Z53-A375>Japanese journal of applied physics : JJAP50(8) (1) 2011.8p.081201-1～4
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  • 要約等...jats:sub>, and GeTe/Ge<jats:sub>2<......e. The stacked GeTe/Ge<jats:sub>2</jats:sub>Sb<ja...
  • 参照...n phase change GeTe and Ge2Sb2Te5 nanowire device...